标题: AMD研制新晶体管和芯片 [打印本页]

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作者: 大虫    时间: 2003-6-16 00:10


Zdnet报道AMD正在试图整合strained silicon和multi-gate技术，以大大提高芯片的性能:
"AMD正忙于梳理科学发展的图谱，以寻求改善芯片性能之路。该公司正测试如何整合strained silicon(可以提高处理器20%性能的制造工艺)和multi-gate（多通路晶体管）的先锋概念，在关键的晶体元件中用金属材料取代硅材料，这将大大提高芯片的性能，对未来的几年市场形成冲击。
AMD程序技术副总裁Craig Sander宣称，改变微处理器的基本结构是关乎生存的事。芯片变得越来越小，运算的速度越来越快，但是，许多过去用于制造处理器的材料和结构目前不能再继续发展。"
"Sander声称，现在研究人员提出的概念将可能开始出现在商业芯片领域，预计在2007年，45毫微米的制造工艺将诞生，在2009年则是32毫微米一代的制造工艺。"

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